SbまたはTeの一原子層未満で被覆したけい素(001)上Geの界面活性剤を介する成長

OSTEN H J; KLATT J; LIPPERT G; BUGIEL E; HIGUCHI S

文献

J-GLOBAL ID：200902135042567137 整理番号：93A0798321

SbまたはTeの一原子層未満で被覆したけい素(001)上Geの界面活性剤を介する成長

Sufactant-mediated growth of germanium on silicon (001) with submonolayer coverage of Sb and Te.

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巻： 74 号： 4 ページ： 2507-2511 発行年： 1993年08月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標題のGe成長をRHEEDとTEMで研究した。450°Cにおけ...

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半導体薄膜

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