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J-GLOBAL ID：200902135064909970   整理番号：94A0331974

化学気相成長法により作製した2000V 6H-SiC pn接合ダイオード

2000V 6H-SiC p-n junction diodes grown by chemical vapor deposition.

著者 (5件)： NEUDECK P G (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  SALUPO C S (Calspan Corp., Ohio) ,  LARKIN D J (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  POWELL J A (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  MATUS L G (NASA Lewis Research Center, Ohio)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 64  号： 11  ページ： 1386-1388  発行年： 1994年03月14日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温で逆電圧2000V以上で整流特性を示す炭化けい素ダイオー...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 大気圧CVD ,...

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分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 化学気相成長法 ,  作製 ,  6H-SiC ,  PN接合 ,  ダイオード