文献

J-GLOBAL ID：200902135225557670   整理番号：99A0808134

アンモニア分子ビームエピタクシーによって成長させた半絶縁性CドープGaNと高移動度AlGaN/GaNヘテロ構造

Semi-insulating C-doped GaN and high-mobility AlGaN/GaN heterostructures grown by ammonia molecular beam epitaxy.

著者 (4件)： WEBB J B (National Res. Council Canada, Ontario, CAN) ,  TANG H (National Res. Council Canada, Ontario, CAN) ,  ROLFE S (National Res. Council Canada, Ontario, CAN) ,  BARDWELL J A (National Res. Council Canada, Ontario, CAN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 75  号： 7  ページ： 953-955  発行年： 1999年08月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高抵抗率のGaN膜を,メタンイオンをCドーパント源として使っ...

シソーラス用語： MBE成長 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0808134&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： アンモニア ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  半絶縁性 ,  ドープ ,  GaN ,  高移動度 ,  AlGaN ,  ヘテロ構造