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J-GLOBAL ID：200902135319374226   整理番号：98A0866202

InGaN/GaN多重量子井戸の特性に及ぼすSiドーピングの影響

Influence of Si doping on characteristics of InGaN/GaN multiple quantum wells.

著者 (7件)： CHO Y-H (Oklahoma State Univ., Oklahoma) ,  SONG J J (Oklahoma State Univ., Oklahoma) ,  KELLER S (Univ. California, California) ,  MINSKY M S (Univ. California, California) ,  HU E (Univ. California, California) ,  MISHRA U K (Univ. California, California) ,  DENBAARS S P (Univ. California, California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 73  号： 8  ページ： 1128-1130  発行年： 1998年08月24日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN/GaN多重量子井戸の構造的および光学的性質を,高...

シソーラス用語： 窒化物 ,...

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分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaN ,  GaN ,  多重量子井戸 ,  Si ,  ドーピング