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J-GLOBAL ID：200902135359388122   整理番号：99A0925993

均一寸法の高密度InAs量子ドットによる低しきい値レーザ動作

Low-threshold lasing from high-density InAs quantum dots of uniform size.

著者 (4件)： SAITO H (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  NISHI K (NEC Lab., Ibaraki, JPN) ,  SUGIMOTO Y (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  SUGOU S (NEC Lab., Ibaraki, JPN)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 35  号： 18  ページ： 1561-1563  発行年： 1999年09月02日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Fabry-Perotレーザの活性領域を構成するため,~30...

シソーラス用語： *Fabry-Perot共振器 ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高密度 ,  InAs量子ドット ,  しきい値 ,  レーザ