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J-GLOBAL ID：200902135470589340   整理番号：93A0726441

硫黄処理したInP上にN₂OおよびSiH₄を185nmの直接光分解により生成したシリコン酸化物InP・MISFETへの応用例

Silicon oxide deposited by direct photolysis of N₂O and SiH₄ at 185 nm on sulfur-treated InP: application to InP MISFETs.

著者 (6件)： PROUST N (THOMSON-CSF/LCR, Orsay, FRA) ,  PETITJEAN M (THOMSON-CSF/LCR, Orsay, FRA) ,  ARNODO C (THOMSON-CSF/LCR, Orsay, FRA) ,  BEGUET M (THOMSON-CSF/LCR, Orsay, FRA) ,  CHAPEAUBLANC J F (THOMSON-CSF/LCR, Orsay, FRA) ,  PERRIN J (Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA)
資料名： Microelectronics Journal  (Microelectronics Journal)
巻： 24  号： 4  ページ： 371-376  発行年： 1993年07月 
JST資料番号： A0186A  ISSN： 0026-2692  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水銀ガスを使うことなくUV照射CVDにより約1000ÅのSi...

シソーラス用語： 酸化膜 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 硫黄 ,  InP ,  N2O ,  SiH4 ,  光分解 ,  シリコン酸化物 ,  MISFET ,  応用