ゲート電極に用いるポリSi<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>層の酸化挙動におよぼすGe含量の影響

AHN T-H; YEO I-S; KIM T-K; JOO M-S; KIM H-S; KIM J-J; JOUNG J-H; PARK J W

文献

J-GLOBAL ID：200902135681836408 整理番号：01A0284217

ゲート電極に用いるポリSi_1-xGe_x層の酸化挙動におよぼすGe含量の影響

Effects of Ge Content on the Oxidation Behavior of Poly-Si_1-xGe_x Layers for Gate Electrode Application.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=01A0284217&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0284217&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0285A") }}

著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 148 号： 2 ページ： G50-G54 発行年： 2001年02月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ゲート電極へのポリSiGeの使用可能性を調べるためにパターン...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0284217&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0285A") }}

固体デバイス材料

, , ,

前のページに戻る

ゲート電極に用いるポリSi1-xGex層の酸化挙動におよぼすGe含量の影響

ゲート電極に用いるポリSi_1-xGe_x層の酸化挙動におよぼすGe含量の影響