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J-GLOBAL ID：200902135710150790   整理番号：01A0621086

液相線領域の移動法による均一なIn0.3Ga0.7Asの結晶成長

Homogeneous In0.3Ga0.7As crystal growth by the traveling liquidus-zone method.
著者 (6件)：
KINOSHITA K

KINOSHITA K について

(National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN)

National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN について

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KATO H

KATO H について

(National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN)

National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN について

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IWAI M

IWAI M について

(Advanced Engineering Serv. Co. Ltd., Ibaraki, JPN)

Advanced Engineering Serv. Co. Ltd., Ibaraki, JPN について

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TSURU T

TSURU T について

(Advanced Engineering Serv. Co. Ltd., Ibaraki, JPN)

Advanced Engineering Serv. Co. Ltd., Ibaraki, JPN について

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MURAMATSU Y

MURAMATSU Y について

(Advanced Engineering Serv. Co. Ltd., Ibaraki, JPN)

Advanced Engineering Serv. Co. Ltd., Ibaraki, JPN について

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YODA S

YODA S について

(National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN)

National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN について


資料名：
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

Journal of Crystal Growth について


巻： 225  号： 1  ページ： 59-66  発行年： 2001年05月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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組成的に均一なIn<sub>0.3</sub>Ga<sub>...
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化合物半導体

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分類 (1件)：
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半導体の結晶成長 
(BK13040X)

半導体の結晶成長 について

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結晶成長

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