文献
J-GLOBAL ID：200902135853311000   整理番号：94A0154089

GaAs薄膜の分子線エピタキシャル成長における電子線照射効果 (III)

Effects of electron beam irradiation during molecular beam epitaxy GaAs growth.
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著者 (3件)：
田村進

田村進 について

(関西大 工)

関西大 工 について

, 
木下浩史

木下浩史 について

(関西大 工)

関西大 工 について

, 
高元てる夫

高元てる夫 について

(関西大 工)

関西大 工 について


資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)

応用物理学会学術講演会講演予稿集 について


巻： 54th  号： 1  ページ： 195  発行年： 1993年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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GaAs

GaAs について

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薄膜

薄膜 について

, 
分子線エピタキシャル成長

分子線エピタキシャル成長 について

, 
電子線照射効果

電子線照射効果 について


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