HF/H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>による多孔質シリコン形成における金属支援化学エッチング

LI X; BOHN P W

文献

J-GLOBAL ID：200902136000885062 整理番号：01A0108885

HF/H₂O₂による多孔質シリコン形成における金属支援化学エッチング

Metal-assisted chemical etching in HF/H₂O₂ produces porous silicon.

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巻： 77 号： 16 ページ： 2572-2574 発行年： 2000年10月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

発光性多孔質シリコン(PSi)を製作する安価で有効な方法を提...

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半導体薄膜 , 試料技術

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HF/H2O2による多孔質シリコン形成における金属支援化学エッチング

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