N-n GaSb/GaInAsSbスタガード配列ヘテロ接合の近傍における再結合

POPOV A A; IMENKOV A N; KOLCHANOVA N M; YAKOVLEV YU P; PIOTROWSKI T T

文献

J-GLOBAL ID：200902136235332303 整理番号：95A0256115

N-n GaSb/GaInAsSbスタガード配列ヘテロ接合の近傍における再結合

Recombination nearby N-n GaSb/GaInAsSb staggered lineup heterojunction.

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資料名：
巻： 87 号： 2 ページ： 559-562 発行年： 1995年02月
JST資料番号： A0319A ISSN： 0587-4246 CODEN： APTLBW 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ポーランド (POL) 言語：英語 (EN)

標記ヘテロ接合近傍での再結合を,エレクトロルミネセンスとキャ...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , 半導体のルミネセンス

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