Siイオン注入による半絶縁GaAs結晶の電気的活性に対するほう素の影響

文献

J-GLOBAL ID：200902136388156423 整理番号：93A0549297

Influence of Boron in Semi-insulating GaAs Crystals on Their Electrical Activation by Si-Ion Implantation.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=93A0549297&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0549297&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 32 号： 5A ページ： 1898-1901 発行年： 1993年05月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

As過剰融液からのLEC法で成長させた半絶縁GaAsに注入し...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0549297&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

半導体の放射線による構造と物性の変化

, , , , , ,

前のページに戻る