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J-GLOBAL ID：200902136402656655   整理番号：01A0310687

(11-20)面上の4H-SiCの金属-酸化物-半導体の電界効果トランジスタについてチャネル移動度が大きく改良された原因

A cause for highly improved channel mobility of 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on the (11<span style=text-decoration:overline>2</span>0) face.

著者 (4件)： YANO H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  HIRAO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 78  号： 3  ページ： 374-376  発行年： 2001年01月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (11-20)と(0001)面上に作製した4H-SiCの金属...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： 界面状態

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 4H-SiC ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  チャネル移動度 ,  原因