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J-GLOBAL ID：200902136521663511   整理番号：98A0739751

Siを導入したa-C:H膜の高温安定性の向上

Improved high-temperature stability of Si incorporated a-C:H films.

著者 (6件)： CAMARGO S S JR (Univ. Federal do Rio de Janeiro, RJ, BRA) ,  NETO A L B (Univ. Federal do Rio de Janeiro, RJ, BRA) ,  SANTOS R A (Univ. Federal do Rio de Janeiro, RJ, BRA) ,  FREIRE F L JR (Pontificia Univ. Catolica do Rio de Janeiro, R.J., BRA) ,  CARIUS R (KFA-Juelich, Juelich, DEU) ,  FINGER F (KFA-Juelich, Juelich, DEU)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 7  号： 8  ページ： 1155-1162  発行年： 1998年08月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シランとメタンの混合ガスを用い,高周波グロー放電によりa-S...

シソーラス用語： *炭素 ,...
準シソーラス用語： 弾性反跳検出分析 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： Si ,  安定性