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J-GLOBAL ID：200902136643595665   整理番号：01A0407721

フィールドプレートを有した高絶縁耐圧GaN HFET

High breakdown voltage GaN HFET with field plate.

著者 (6件)： LI J (Univ. California at Los Angeles, CA, USA) ,  CAI S J (Univ. California at Los Angeles, CA, USA) ,  PAN G Z (Univ. California at Los Angeles, CA, USA) ,  CHEN Y L (Univ. California at Los Angeles, CA, USA) ,  WEN C P (Univ. California at Los Angeles, CA, USA) ,  WANG K L (Univ. California at Los Angeles, CA, USA)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 37  号： 3  ページ： 196-197  発行年： 2001年02月01日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フィールドプレートを設けてゲートをガンマ型とした,新規な高絶...

シソーラス用語： *接合形FET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： フィールド ,  絶縁耐圧 ,  GaN ,  HFET