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J-GLOBAL ID：200902136828591534   整理番号：01A0823367

S蒸気圧を制御した水平Bridgman法により成長したCuInS₂単結晶の欠陥特性

Defect Properties of CuInS₂ Single Crystals Grown by Horizontal Bridgman Method with Controlling S Vapor Pressure.

著者 (3件)： MATSUSHITA H (Tokai Univ., Shizuoka, JPN) ,  MIHIRA T (Nihon Univ., Tokyo, JPN) ,  TAKIZAWA T (Nihon Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40  号： 8  ページ： 4789-4793  発行年： 2001年08月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Hall効果,光ルミネセンス,光吸収及び光伝導測定によって標...

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,...
準シソーラス用語： CuInS2

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分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (26件)：

• 1) H. W. Schock: Sol. Energy Mater. & Sol. Cells <b>34</b> (1994) 19.
• 2) B. Tell and F. A. Thiel: J. Appl. Phys. 50 (1979) 5045.
• 3) H. J. Lewerenz, H. Goslowsky and K. D. Husemann: Nature 321 (1986) 687.
• 4) Y. Ogawa, A. J. Waldau, Y. Hashimoto and K. Ito: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) L1775.
• 5) J. Klaer, J. Bruns, R. Henninger, K. Siemer, R. Klenk, K. Ellmer and D. Bräunig: Semicond. Sci. Technol. 13 (1998) 1456.

タイトルに関連する用語 (6件)： 蒸気圧 ,  水平Bridgman法 ,  成長 ,  CuInS2 ,  単結晶 ,  欠陥