文献

J-GLOBAL ID：200902136837655723   整理番号：94A0140040

Low-temperature LPE Overgrowth of InGaAs/InP Mesa Heterostructure.

著者 (2件)： PROCHAZKOVA O (Inst. Radio Engineering and Electronics, Academy of Sciences of the Czech Republic) ,  NOVOTNY J (Inst. Radio Engineering and Electronics, Academy of Sciences of the Czech Republic)
資料名： Crystal Research and Technology  (Crystal Research and Technology)
巻： 28  号： 7  ページ： 891-898  発行年： 1993年 
JST資料番号： B0738A  ISSN： 0232-1300  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： InGaAs ,  InP