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J-GLOBAL ID：200902136891228652   整理番号：00A0596584

窒素プラズマ処理によるMgドープGaN中のMgアクセプタの再活性化

Reactivation of Mg acceptor in Mg-doped GaN by nitrogen plasma treatment.

著者 (7件)： KIM S-W (Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR) ,  LEE J-M (Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR) ,  HUH C (Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR) ,  PARK N-M (Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR) ,  KIM H-S (Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR) ,  LEE I-H (Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR) ,  PARK S-J (Kwangju Inst. Sci. and Technol., Kwangju, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 76  号： 21  ページ： 3079-3081  発行年： 2000年05月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOCVDで成長させたGaN:Mg膜を通常の急速熱アニーリン...

シソーラス用語： *プラズマ曝露 ,...

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分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 窒素プラズマ ,  Mg ,  ドープ ,  GaN ,  アクセプタ ,  再活性化