水素エッチングによる6H-SiC(0001)基板からの研磨で生じた損傷の除去

文献

J-GLOBAL ID：200902136911837715 整理番号：96A0957900

Removal of polishing-induced damage from 6H-SiC(0001) substrates by hydrogen etching.

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資料名：
巻： 167 号： 1/2 ページ： 391-395 発行年： 1996年09月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

原子間力顕微鏡と超高真空走査型トンネル顕微鏡を使って,6H-...

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半導体の表面構造

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