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J-GLOBAL ID：200902136940926310   整理番号：95A0139325

水素輸送気相エピタクシーによるZnSe成長における成長速度とよう素取込みの方位依存性

Orientation dependences of the growth rate and iodine incorporation for the ZnSe growth by hydrogen transport vapor phase epitaxy.

著者 (5件)： FUKE S (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  SUZUKI Y (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  KUWAHARA K (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  TAKANO Y (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  IMAI T (Meisei Univ., Ome, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 144  号： 3/4  ページ： 367-370  発行年： 1994年12月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Iドーピング条件下の水素輸送気相エピタクシーによってGaAs...

シソーラス用語： セレン化亜鉛 ,...
準シソーラス用語： 不純物効果 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 水素輸送 ,  気相エピタクシー ,  ZnSe ,  成長 ,  成長速度 ,  よう素 ,  取込み ,  方位依存性