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J-GLOBAL ID：200902136978706399   整理番号：94A0146713

シリコン中のボロンの放射強化拡散モデルの開発

The development of the radiation enhanced diffusion model of boron in silicon.
著者 (2件)：
GADIYAK G V

GADIYAK G V について

(Inst. Theoretical and Applied Mechanics, Novosibirsk, SUN)

Inst. Theoretical and Applied Mechanics, Novosibirsk, SUN について

, 
BLAGHININ D E

BLAGHININ D E について

(Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, SUN)

Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, SUN について


資料名：
Compel  (Compel)

Compel について


巻： 12  号： 4  ページ： 407-416  発行年： 1993年12月 
JST資料番号： H0945A  ISSN： 0332-1649  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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注入したボロンの放射強化拡散を点欠陥や転位,ボロン原子間の動...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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不純物拡散

不純物拡散 について

,...
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分類 (2件)：
分類
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固体中の拡散一般 
(BL06021L)

固体中の拡散一般 について

,  半導体の放射線による構造と物性の変化 
(BK16123E)

半導体の放射線による構造と物性の変化 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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シリコン

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, 
ボロン

ボロン について

, 
放射

放射 について

, 
強化

強化 について

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拡散モデル

拡散モデル について

, 
開発

開発 について


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