高周波マグネトロンスパッタリング法により蒸着した酸化インジウムすず薄膜の光学電子特性に及ぼす水素分圧の効果

ZHANG K; ZHU F; HUAN C H A; WEE A T S

文献

J-GLOBAL ID：200902137240795091 整理番号：99A0737073

高周波マグネトロンスパッタリング法により蒸着した酸化インジウムすず薄膜の光学電子特性に及ぼす水素分圧の効果

Effect of hydrogen partial pressure on optoelectronic properties of indium tin oxide thin films deposited by radio frequency magnetron sputtering method.

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巻： 86 号： 2 ページ： 974-980 発行年： 1999年07月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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酸化物薄膜

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