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J-GLOBAL ID：200902137256588649   整理番号：99A0866124

走査型熱顕微鏡を用いた横方向エピタキシャル被覆成長GaN/サファイア(0001)の高空間分解能熱伝導率の測定

High spatial resolution thermal conductivity of lateral epitaxial overgrown GaN/sapphire (0001) using a scanning thermal microscope.

著者 (5件)： ASNIN V M (City Univ. New York, New York) ,  POLLAK F H (City Univ. New York, New York) ,  RAMER J (EMCORE Corp., New Jersey) ,  SCHURMAN M (EMCORE Corp., New Jersey) ,  FERGUSON I (EMCORE Corp., New Jersey)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 75  号： 9  ページ： 1240-1242  発行年： 1999年08月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOCVDによりサファイア(0001)基板上に標記薄膜を横方...

シソーラス用語： MOCVD ,...

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分類 (2件)： 比熱・熱伝導一般  (BL05021E) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 走査型熱顕微鏡 ,  横方向 ,  エピタキシャル ,  被覆成長 ,  GaN ,  サファイア ,  高空間分解能 ,  熱伝導率