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J-GLOBAL ID：200902137424967480   整理番号：00A0586192

絶縁体上SiGe基板にSIMOX技術により作製された歪層Si MOSFETにおける電子および正孔の移動度増大

Electron and Hole Mobility Enhancement in Strained-Si MOSFET’s on SiGe-on-Insulator Substrates Fabricated by SIMOX Technology.

著者 (6件)： MIZUNO T (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  TAKAGI S (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  SUGIYAMA N (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  SATAKE H (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  KUROBE A (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  TORIUMI A (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 21  号： 5  ページ： 230-232  発行年： 2000年05月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題の,絶縁体上SiGe(歪層SOI)構造の上の歪層Si M...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 絶縁体 ,  SIMOX ,  作製 ,  歪層 ,  Si ,  MOSFET ,  電子 ,  正孔 ,  移動度