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J-GLOBAL ID：200902137559899965   整理番号：98A0349642

極薄ボロンドープエピタキシャルSi層を持つ0.15-μm埋め込みチャネルp-MOSFET

0.15-μm Buried-Channel p-MOSFET’s with Ultrathin Boron-Doped Epitaxial Si Layer.

著者 (9件)： OHGURO T (Toshiba Corp., Kawasaki) ,  YAMADA K (Toshiba Corp., Kawasaki) ,  SUGIYAMA N (Toshiba Corp., Kawasaki) ,  IMAI S (Toshiba Corp., Kawasaki) ,  USUDA K (Toshiba Corp., Kawasaki) ,  YOSHITOMI T (Toshiba Corp., Kawasaki) ,  FIEGNA C (Univ. Ferrara, Ferrara, ITA) ,  ONO M (Toshiba Corp., Kawasaki) ,  IWAI H (Toshiba Corp., Kawasaki)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 45  号： 3  ページ： 717-721  発行年： 1998年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温UHV(Ultra High Vacuum)-CVDで成...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： p-MOSFET ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si層 ,  埋め込み ,  チャネル ,  MOSFET