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J-GLOBAL ID：200902137612895713   整理番号：99A0442056

プラズマパッシベーションとHfCコートを行った高電流密度Si電界放出デバイス

High Current Density Si Field Emission Devices with Plasma Passivation and HfC Coating.

著者 (2件)： RAKHSHANDEHROO M R (Univ. Michigan, MI, USA) ,  PANG S W (Univ. Michigan, MI, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 46  号： 4  ページ： 792-797  発行年： 1999年04月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題デバイス作製のための新しい自己整合プロセスを開発した。誘...

シソーラス用語： *電界放出アレイ ,...
準シソーラス用語： プラズマプロセシング

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分類 (1件)： その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ ,  パッシベーション ,  HFC ,  コート ,  高電流密度 ,  Si ,  電界放出