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J-GLOBAL ID：200902137622659970   整理番号：01A0283002

反応性スパッタリングにより作製したInN膜の電気及び光学特性

Electrical and optical properties of InN films prepared by reactive sputtering.
著者 (2件)：
SAITO N

SAITO N について

(Takamatsu National Coll. Technol., Takamatsu, JPN)

Takamatsu National Coll. Technol., Takamatsu, JPN について

, 
IGASAKI Y

IGASAKI Y について

(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)

Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN について


資料名：
Applied Surface Science  (Applied Surface Science)

Applied Surface Science について


巻： 169/170  ページ： 349-352  発行年： 2001年01月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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窒化インジウム薄膜をインジウムターゲットの純窒素ガス中でのス...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ウルツ鉱型結晶

ウルツ鉱型結晶 について

,...
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分類 (3件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

,  半導体結晶の電気伝導 
(BM03043X)

半導体結晶の電気伝導 について

,  光物性一般 
(BM08010A)

光物性一般 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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反応性スパッタリング

反応性スパッタリング について

, 
作製

作製 について

, 
InN

InN について

, 
光学特性

光学特性 について


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