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J-GLOBAL ID：200902137709847411   整理番号：02A0127147

Transmission Electron Microscope Analysis of Microstructures in GaN Grown on (111)A and (111)B of GaAs by Metalorganic Hydrogen Chloride Vapor-Phase Epitaxy.

著者 (7件)： MITATE T (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SONODA Y (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  OKI K (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KUWANO N (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KUMAGAI Y (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  MURAKAMI H (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  KOUKITU A (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 188  号： 2  ページ： 557-560  発行年： 2001年11月23日 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaN ,  GaAs