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J-GLOBAL ID：200902137716348188   整理番号：98A0349000

InxGa1-xN分子ビームエピタキシャル成長の実時間制御

Real time control of InxGa1-xN molecular beam epitaxy growth.
著者 (2件)：
GRANDJEAN N

GRANDJEAN N について

(Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)

Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA について

, 
MASSIES J

MASSIES J について

(Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)

Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA について


資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

Applied Physics Letters について


巻： 72  号： 9  ページ： 1078-1080  発行年： 1998年03月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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NH3を用いた分子ビームエピタクシーに...
シソーラス用語：
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窒化ガリウム

窒化ガリウム について

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シソーラス用語/準シソーラス用語
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RHEED振動

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分類 (1件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
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分子ビームエピタキシャル成長

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, 
実時間制御

実時間制御 について


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