自立したHVPE成長GaN基板の調製と特性

文献

J-GLOBAL ID：200902137737352681 整理番号：99A0053927

Preparation and properties of free-standing HVPE grown GaN substrates.

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資料名：
巻： 194 号： 1 ページ： 37-42 発行年： 1998年11月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

自立したGaN単結晶の亀裂が無い基板をHVPEにより成長させ...

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半導体薄膜

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