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J-GLOBAL ID：200902137744863705   整理番号：98A0259059

(0001)サファイア基板上でのアンモニアを用いた窒化ガリウムの分子ビームエピタクシー

Molecular-beam epitaxy of gallium nitride on (0001) sapphire substrates using ammonia.
著者 (7件)：
GRANDJEAN N

GRANDJEAN N について

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Centre de Rech. H<span style=text-decoration:overline>e ́</span>t<span style=text-decoration:overline>e ́</span>ro-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA について

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MASSIES J

MASSIES J について

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VENNEGUES P

VENNEGUES P について

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LEROUX M

LEROUX M について

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DEMANGEOT F

DEMANGEOT F について

(Univ. Paul Sabatier, Toulouse, FRA)

Univ. Paul Sabatier, Toulouse, FRA について

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RENUCCI M

RENUCCI M について

(Univ. Paul Sabatier, Toulouse, FRA)

Univ. Paul Sabatier, Toulouse, FRA について

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FRANDON J

FRANDON J について

(Univ. Paul Sabatier, Toulouse, FRA)

Univ. Paul Sabatier, Toulouse, FRA について


資料名：
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

Journal of Applied Physics について


巻： 83  号： 3  ページ： 1379-1383  発行年： 1998年02月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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アンモニアを用いるガス源分子ビームエピタクシーによりアンドー...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*窒化ガリウム

窒化ガリウム について

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準シソーラス用語：
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ガスソースMBE

ガスソースMBE について


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分類 (1件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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サファイア基板

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窒化ガリウム

窒化ガリウム について

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分子ビームエピタクシー

分子ビームエピタクシー について


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