水素化物気相エピタクシーによってSiC基板上に成長させた絶縁性GaN:Zn層

KUZNETSOV N I; NIKOLAEV A E; ZUBRILOV A S; MELNIK YU V; DMITRIEV V A

文献

J-GLOBAL ID：200902137864933812 整理番号：00A0059397

水素化物気相エピタクシーによってSiC基板上に成長させた絶縁性GaN:Zn層

Insulating GaN:Zn layers grown by hydride vapor phase epitaxy on SiC substrates.

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資料名：
巻： 75 号： 20 ページ： 3138-3140 発行年： 1999年11月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GaNマイクロ波素子を作るためには絶縁性のGaN基板が必要で...

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半導体薄膜

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