文献

J-GLOBAL ID：200902137917513632   整理番号：02A0416613

結晶成長理論の最近の動向 Si(111)微斜面の表面エレクトロマイグレーション誘起ステップ構造転移

Recent Trend of Crystal Growth Theory. Surface-electromigration-induced Step Structure Transition on Si(111) Vicinal Surfaces.

著者 (2件)： 名取晃子 (電通大) ,  菅信朗 (電通大)
資料名： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
巻： 29  号： 1  ページ： 44-49  発行年： 2002年04月10日 
JST資料番号： F0452B  ISSN： 0385-6275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： DCにより誘起される標記微斜面における等間隔ステップと凝集ス...

シソーラス用語： *エレクトロマイグレーション ,...
準シソーラス用語： 動的モンテカルロ法

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分類 (3件)： 固相転移  (BL04020G) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  結晶成長一般  (BK13010Q)

引用文献 (25件)：

• 1) HOMMA Y. Phys. Rev.. (2000) vol.B62, p.8323.
• 2) LATYSHEV A. V. Surf. Sci.. (1989) vol.213, p.157.
• 3) LATYSHEV A. V. Surf. Sci.. (1990) vol.227, p.24.
• 4) HOMMA Y. Jpn. J. Appl. Phys.. (1990) vol.29, p.L2254.
• 5) WILLIAMS Ellen D. Surf.Sci.. (1995) vol.336, p.L746.

タイトルに関連する用語 (8件)： 結晶成長 ,  理論 ,  動向 ,  Si ,  微斜面 ,  エレクトロマイグレーション ,  誘起 ,  構造転移