InGaN単一および多重量子井戸構造における局在励起子の自然放出

CHICHIBU S; AZUHATA T; SOTA T; NAKAMURA S

文献

J-GLOBAL ID：200902137917821019 整理番号：97A0257048

InGaN単一および多重量子井戸構造における局在励起子の自然放出

Spontaneous emission of localized excitons in InGaN single and multiquantum well structures.

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巻： 69 号： 27 ページ： 4188-4190 発行年： 1996年12月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

InGaN単一量子井戸構造の青色および緑色の発光ダイオードと...

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半導体のルミネセンス , 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , 発光素子

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