研究者

J-GLOBAL ID：200901089283772186 更新日: 2024年08月27日

小豆畑敬

アズハタタカシ | Azuhata Takashi

所属機関・部署：
職名：准教授

研究分野 (3件)：結晶工学 , 応用物性 , 半導体、光物性、原子物理

研究キーワード (4件)：半導体 , 光物性 , Semiconductor , Optical Properties of materials

競争的資金等の研究課題 (9件)：

2022 - 2026 金属バッファ層上層状窒化ホウ素を用いたGaN系デバイス構造成長とその機械的転写
2018 - 2022 層状BNを用いた大面積可能な金属基板、ガラス基板上へのGaN系デバイス成長
2003 - 2004 半導体柱状量子構造の新規作製法
2001 - 2002 新規作製法による半導体柱状量子構造
2001 - 単一チップフルカラー発光ダイオードの研究

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論文 (47件)：

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MISC (23件)：

宮永崇史, 小豆畑敬, 新田清文, 秩父重英. 23aJA-6 m面成長したInGaN薄膜の偏光XAFS解析(23aJA X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン)). 日本物理学会講演概要集. 2011. 66. 2. 1001-1001
宮永崇史, 小豆畑敬, 山田努, 三上慎太郎, 秩父重房, 北島義典. 半導体薄膜の偏光XAFSによる局所構造解析. PFシンポジウム要旨集. 2009. 26th. 51
LEDマルチカラー化の工夫. LED最新技術動向~性能向上・課題解決集~、情報機構. 2005. 第3章(27~38頁)
InGaN単晶片全彩LED. 光電科技、Chinese Information社. 2004. 12月号、49-52頁
小豆畑敬. InGaN系単一チップマルチカラーLED. 月刊ディスプレイ、テクノタイムズ社. 2004. 1月号、28-31頁. 1. 28-31

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特許 (3件)：

表示装置および基本色生成方法
発光ダイオードの発光色制御方法
発光ダイオードの活性層の評価方法およびその評価装置

書籍 (1件)：

Valence band physics in wurtzite GaN(jointly worked)
Materials Research Society Symposium Proceedings 1997

Works (4件)：

高精細ディスプレイ用超小型フルカラー発光ダイオードの研究
2001 -
Study on Single-chip fullcolor LEDs for high-definition displays
2001 -
(]G0003[)族窒化物の光学特性
1994 -
Optical properties of (]G0003[)-nitrides
1994 -

学歴 (3件)：

1993 - 1996 早稲田大学大学院理工学研究科電気工学専攻博士後期課程
1991 - 1993 早稲田大学大学院理工学研究科電気工学専攻修士課程
1987 - 1991 早稲田大学理工学部電気工学科

学位 (1件)：

博士(工学) (早稲田大学)

経歴 (5件)：

2007/04 - 現在弘前大学准教授
2003/10 - 2007/03 弘前大学助教授
1998/04 - 2003/09 弘前大学助手
1997/04 - 1998/03 分子科学研究所 IMSフェロー(ポスドク)
1995/04 - 1997/03 早稲田大学助手(任期付き)

受賞 (1件)：

2004 - 第3回インテリジェント・コスモス奨励賞

所属学会 (2件)：

日本物理学会 , 応用物理学会

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