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J-GLOBAL ID：200902138070452778   整理番号：01A0873200

半導体の埋め込み構造のバリスティック電子放出顕微鏡画像と分光分析

BEEM imaging and spectroscopy of buried structures in semiconductors.

著者 (2件)： NARAYANAMURTI V (Harvard Univ., Massachusetts, USA) ,  KOZHEVNIKOV M (Harvard Univ., Massachusetts, USA)
資料名： Physics Reports  (Physics Reports)
巻： 349  号： 6  ページ： 447-514  発行年： 2001年08月 
JST資料番号： A0800A  ISSN： 0370-1573  CODEN： PRPLCM  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-半導体と金属-絶縁体-半導体の界面,埋め込み半導体ヘテ...

シソーラス用語： *走査型トンネル顕微鏡 ,...
準シソーラス用語： バリスティック電子顕微鏡

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分類 (3件)： 顕微鏡法  (BK01040E) ,  電子顕微鏡,イオン顕微鏡  (BD02050B) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (3件)： 埋め込み ,  バリスティック電子放出顕微鏡 ,  分光分析