文献

J-GLOBAL ID：200902138118914981   整理番号：02A0393955

シランと窒素を用いた誘導結合プラズマにより堆積した窒化けい素

Silicon nitride deposited by inductively coupled plasma using silane and nitrogen.

著者 (3件)： DA SILVA ZAMBOM L (Univ. Sao Paulo, SP, BRA) ,  DOMINGUES MANSANO R (Univ. Sao Paulo, SP, BRA) ,  FURLAN R (Univ. Sao Paulo, SP, BRA)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 65  号： 2  ページ： 213-220  発行年： 2002年04月19日 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化けい素膜を誘導結合プラズマCVDにより低温(350°C)で...

シソーラス用語： *窒化ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0393955&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0347A") }}

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (5件)： シラン ,  窒素 ,  誘導結合プラズマ ,  堆積 ,  窒化けい素