高温の電力エレクトロニクスに応用する6H-SiC UMOS FET及びIGBTの設計とシミュレーション

RAMUNGUL N; TYAGI R; BHALLA A; CHOW T P; GHEZZO M; KRETCHMER J; HENNESSY W

文献

J-GLOBAL ID：200902138258248701 整理番号：96A0656384

高温の電力エレクトロニクスに応用する6H-SiC UMOS FET及びIGBTの設計とシミュレーション

Design and simulation of 6H-SiC UMOS FET and IGBT for high-temperature power electronics applications.

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Institute of Physics Conference Series (Institute of Physics Conference Series)

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号： 142 ページ： 773-776 発行年： 1996年
JST資料番号： E0403B ISSN： 0305-2346 CODEN： IPHSAC 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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