ふっ化エルビウムを絶縁体とするシリコンMIS構造における記憶を持つ抵抗の電気的スイッチング

ROZHKOV V A; SHALIMOVA M B

文献

J-GLOBAL ID：200902138304639141 整理番号：93A0682872

ふっ化エルビウムを絶縁体とするシリコンMIS構造における記憶を持つ抵抗の電気的スイッチング

Electrical switching of the resistance with memory in silicon MIS structures with erbium fluoride as the insulator.

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資料名：
巻： 27 号： 3 ページ： 245-249 発行年： 1993年03月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記構造は,高抵抗状態(~10¹¹Ω)...

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金属-絶縁体-半導体構造

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