シリコンベースの縦型MOSゲートEsakiトンネルトランジスタ

文献

J-GLOBAL ID：200902138646664148 整理番号：00A0710606

A vertical MOS-gated Esaki tunneling transistor in silicon.

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資料名：
巻： 369 号： 1/2 ページ： 387-389 発行年： 2000年07月03日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

Siを用いて標記MOSFETを作製した。このデバイスはMOS...

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トランジスタ

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