文献

J-GLOBAL ID：200902138666873517   整理番号：93A0311199

軟X線吸収分光法で研究したSi(111)7×7上のSm層における原子価変換

Valency changeover in Sm layers on Si(111)7×7 studied with soft-x-ray-absorption spectroscopy.

著者 (4件)： SAKHO O (Lab. Utilisation du Rayonnement Electromagn<span style=text-decoration:overline>e ́</span>tique, Orsay, FRA) ,  SACCHI M (Lab. Utilisation du Rayonnement Electromagn<span style=text-decoration:overline>e ́</span>tique, Orsay, FRA) ,  SIROTTI F ,  ROSSI G
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 47  号： 7  ページ： 3797-3801  発行年： 1993年02月15日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)7×7上のSm被膜層における原子価の変換を,S...

シソーラス用語： 半導体金属接合 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0311199&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0746A") }}

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 軟X線 ,  吸収分光法 ,  研究 ,  Si ,  Sm ,  原子価