SiCに関する局所エピタクシーおよび横エピタキシャル被覆成長

文献

J-GLOBAL ID：200902139072748972 整理番号：01A0914445

Local epitaxy and lateral epitaxial overgrowth of SiC.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=01A0914445&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0914445&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 233 号： 1/2 ページ： 112-120 発行年： 2001年11月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

SiCについて,グラファイトマスクと物理的気体輸送(PVT)...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0914445&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

半導体薄膜

, , ,

前のページに戻る