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J-GLOBAL ID：200902139172763332   整理番号：00A0582071

格子不整合系におけるエピタキシー SiGeC界面緩衝層を用いた3C-SiC/Siヘテロエピタキシー

Epitaxy in Lattice-Mismatched Systems. Heteroepitaxy of 3C-SiC on Si Using SiGeC Buffer Layer.

著者 (2件)： 冬木隆 (奈良先端科学技術大学院大) ,  畑山智亮 (奈良先端科学技術大学院大)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 21  号： 6  ページ： 348-354  発行年： 2000年06月10日 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ガスソースMBEによりSi(001)上に3C-SiCヘテロエ...

シソーラス用語： *ケイ素化合物 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (20件)：

• 1) W. Choyke, H. Matsunami and G. Pensl: “Silicon Carbide” (John Wiley & Sons, New York, 1997).
• 2) H. Matsunami, S. Nishino and H. Ono: IEEE Trans. Electron Devices ED-28, 1235 (1981).
• 3) H. Nagasawa and K. Yagi: Phys. Sta. Solidi (b) 202, 335 (1997).
• 4) K. Shibahara, T. Takeuchi, S. Nishino and H. Matsunami: Jpn. J. Appl. Phys. 28, 1341 (1989).
• 5) T. Yoshinobu, H. Mitsui, Y. Tarui, T. Fuyuki and H. Matsunami: J. Appl. Phys. 72, 2006 (1992).

タイトルに関連する用語 (7件)： 格子不整合 ,  エピタキシー ,  界面 ,  緩衝層 ,  3C-SiC ,  Si ,  ヘテロエピタキシー