研究者
J-GLOBAL ID：200901083505080875
更新日: 2022年08月21日
畑山 智亮
ハタヤマ トモアキ | Hatayama Tomoaki
所属機関・部署：
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 物質創成科学専攻 物質創成科学研究科
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職名：
助手,助教
研究分野 (4件)：
電子デバイス、電子機器
, 電気電子材料工学
, 結晶工学
, 応用物性
研究キーワード (2件)：
半導体
, SiC (silicon carbide)
競争的資金等の研究課題 (2件)：
高品質シリコンカーバイドの結晶成長とデバイス応用
High-quality crystal growth of silicon carbide and device application
MISC (10件)：
S Nitani, T Hatayama, K Yamaguchi, H Yano, Y Uraoka, T Fuyuki. Nondestructive analysis of crystal defects in 4H-SiC epilayer by devised electron-beam-induced current method. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS. 2005. 44. 37-41. L1271-L1274
S Nitani, T Hatayama, K Yamaguchi, H Yano, Y Uraoka, T Fuyuki. Nondestructive analysis of crystal defects in 4H-SiC epilayer by devised electron-beam-induced current method. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS. 2005. 44. 37-41. L1271-L1274
Takashi Suezaki, Kazuaki Kawahito, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki. Electrical Properties and Thermal Stability of Cu/6H-SiC Junctions. Japanese Journal of Applied Physics. 2001. 40. 1A/B. L43-L45
冬木 隆, 畑山 智亮. SiGeC界面緩衝層を用いた3C-Sic/Siヘテロエピタキシー. 表面科学. 2000. 21. 6. 30-354
Tomoaki Hatayama, Tomoaki Yoneda, Toshitake Nakata, Masanori Watanabe, Tsunenobu Kimoto, Hiroyuki Matsunami. Vanadium Ion Implanted Guard Rings for High-Voltage 4H-SiC Schottky Rectifiers. Japanese Journal of Applied Physics. 2000. 39. 12A. L1216-L1218
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学歴 (2件)：
- 1997 京都大学 工学研究科 電気工学第二
- 1997 京都大学
学位 (1件)：
博士(工学)
所属学会 (1件)：
応用物理学会
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