文献

J-GLOBAL ID：200902139229341367   整理番号：02A0862874

ポリシルセスキオキサンに基づいた新規タイプの低κ誘電膜

A New Type of LOW-κ Dielectric Films Based on Polysilsesquioxanes.

著者 (4件)： SU R Q (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  MUELLER T E (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  PROCHAZKA J (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  LERCHER J A (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 14  号： 19  ページ： 1369-1373  発行年： 2002年10月02日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 官能化シルセスキオキサンに基づいた低κ有機無機ハイブリッド材...

シソーラス用語： *ポリシルセスキオキサン ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0862874&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W0001A") }}

分類 (2件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (4件)： 1,5-ヘキサジエン ,  ジメチルシラノール ,  エチルトリエトキシシラン ,  1,1-ジメチル-2,2,2-トリエトキシジシラン-1-オール

タイトルに関連する用語 (3件)： ポリシルセスキオキサン ,  タイプ ,  誘電膜