GaNエピタキシャル膜のX線回折ピーク幅に対する貫通転位構造の役割

HEYING B; WU X H; KELLER S; LI Y; KAPOLNEK D; KELLER B P; DENBAARS S P; SPECK J S

文献

J-GLOBAL ID：200902139258984196 整理番号：96A0193367

GaNエピタキシャル膜のX線回折ピーク幅に対する貫通転位構造の役割

Role of threading dislocation structure on the x-ray diffraction peak widths in epitaxial GaN films.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=96A0193367&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0193367&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 68 号： 5 ページ： 643-645 発行年： 1996年01月29日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

サファイア(001)にMOCVDエピタキシャル成長させたGa...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0193367&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

半導体の格子欠陥

, , , ,

前のページに戻る