Si上の酸化したAlN膜の容量電圧特性に及ぼす酸化温度の効果

KOLODZEY J; CHOWDHURY E A; QUI G; OLOWOLAFE J; SWANN C P; UNRUH K M; SUEHLE J; WILSON R G; ZAVADA J M

文献

J-GLOBAL ID：200902139259531209 整理番号：98A0201170

Si上の酸化したAlN膜の容量電圧特性に及ぼす酸化温度の効果

The effects of oxidation temperature on the capacitance-voltage characteristics of oxidized AlN films on Si.

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資料名：
巻： 71 号： 26 ページ： 3802-3804 発行年： 1997年12月29日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

p型Si上にスパッタ蒸着した50nmの厚さのAlN膜を炉中で...

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金属-絶縁体-半導体構造

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