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J-GLOBAL ID：200902139449823974   整理番号：95A0688429

Si/CuメタライゼーションのためのW-B-N拡散障壁

W-B-N diffusion barriers for Si/Cu metallizations.

著者 (5件)： REID J S (California Inst. Technol., CA, USA) ,  LIU R Y (California Inst. Technol., CA, USA) ,  SMITH P M (Sandia National Lab., NM, USA) ,  RUIZ R P (Jet Propulsion Lab., CA, USA) ,  NICOLET M-A (California Inst. Technol., CA, USA)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 262  号： 1/2  ページ： 218-223  発行年： 1995年06月15日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： W₂Bターゲットの反応性スパッタによる...

シソーラス用語： メタライゼーション ,...

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分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属中の拡散  (BL06022C) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  Cu ,  メタライゼーション ,  拡散障壁