種々の界面欠陥およびバルク欠陥状態を持つ非晶質シリコン薄膜トランジスタの不安定特性

CHENG H-C; TSAI J-W; HUANG C-Y; LUO F-C; TUAN H-C

文献

J-GLOBAL ID：200902139807715453 整理番号：98A0016831

種々の界面欠陥およびバルク欠陥状態を持つ非晶質シリコン薄膜トランジスタの不安定特性

The Instability Characteristics of Amorphous Silicon Thin Film Transistors with Various Interfacial and Bulk Defect States.

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Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

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巻： 36 号： 10 ページ： 6226-6229 発行年： 1997年10月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

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1) I. Magarino: Appl. Phys. A 41 (1986) 297.
2) K. Fujii, Y. Tanaka, K. Honda, H. Tsutsu, H. Koseki and S. Hotta: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) 4574.
3) M. J. Powell: Appl. Phys. Lett. 43 (1983) 597
4) A. R. Hepburn, J. M. Marshall, C. Main, M. J. Powell and C. van Berkel: Phys. Rev. Lett. 56 (1986) 2215
5) C. van Berkel and M. J. Powell: Appl. Phys. Lett. 51 (1987) 1094

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