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J-GLOBAL ID：200902139826857811   整理番号：94A0827529

化学浴堆積法による低抵抗率の立方晶相CdS膜

Low resistivity cubic phase CdS films by chemical bath deposition technique.

著者 (6件)： DE MELO O (CINVESTAV-IPN, Mexico, MEX) ,  HERNANDEZ L (CINVESTAV-IPN, Mexico, MEX) ,  ZELAYA-ANGEL O (CINVESTAV-IPN, Mexico, MEX) ,  LOZADA-MORALES R (CINVESTAV-IPN, Mexico, MEX) ,  BECERRIL M (CINVESTAV-IPN, Mexico, MEX) ,  VASCO E (Univ. Havana, Ciudad Habana, CUB)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 65  号： 10  ページ： 1278-1280  発行年： 1994年09月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記のCBD法とS₂およびH<sub>...

シソーラス用語： 硫化カドミウム ,...
準シソーラス用語： CBD法

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 化学浴堆積 ,  低抵抗 ,  立方晶 ,  CdS